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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMT10H9M9LCT 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMT10H9M9LCT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMT10H9M9LCT
  • 名稱(chēng) 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO220AB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT10H9M9LCT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT10H9M9LCT 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMT10H9M9LCT
名稱(chēng)                 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  TO220AB

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 101 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
PD @TC = +25°C (W) 156 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40.2 nC
CISS Typ (pF) 2309 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
低輸入電容
電力應(yīng)用的高 BVDSS 評(píng)級(jí)
低輸入/輸出泄漏


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