產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT2004UFG 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT2004UFG
名稱 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 24 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 70 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.55 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.45 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 29.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 1683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 R DS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
相關(guān)型號
DMS2095LFDB
DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
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DMT10H009LSS
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DMT10H009SK3
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DMT10H010LSS
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DMT10H015LFG
DMT10H015LK3
DMT10H015LPS
DMT10H015LSS
DMT10H015SK3
DMT10H015SPS
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DMT10H025LK3
DMT10H025LSS
DMT10H025SK3
DMT10H025SSS
DMT10H032LDV
DMT10H032LFDF
DMT10H032LFVW
DMT10H032LK3
DMT10H032LSS
DMT10H032SFVW
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DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFV
DMT10H4M5LPS
DMT10H9M9LCT
DMT10H9M9SCT
DMT10H9M9SH3
DMT12H007LPS
DMT12H007SPS
DMT12H060LCA9
DMT12H060LFDF
DMT12H065LFDF
DMT12H090LFDF4
DMT15H017LPS
DMT15H017LPSW
DMT15H017SK3
DMT15H035SCT
DMT15H053SK3
DMT15H053SSS
DMT15H067SSS
DMT2004UFDF
DMT2004UFG
DMT2004UFV
DMT2004UPS
DMT2005UDV
DMT3002LPS
DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
DMT3004LPS
