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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMT6009LCT 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMT6009LCT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT6009LCT
  • 名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO220AB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT6009LCT 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT6009LCT 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的特點(diǎn),非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT6009LCT
名稱                  60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  TO220AB

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 37.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 25 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
優(yōu)秀的 Q GD x R DS(ON)產(chǎn)品 (FOM)
DC-DC 轉(zhuǎn)換器的先進(jìn)技術(shù)
低輸入/輸出泄漏


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