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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMTH10H010LCT 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMTH10H010LCT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH10H010LCT
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO220AB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH10H010LCT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH10H010LCT 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn),非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMTH10H010LCT
名稱                  100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  TO220AB


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 108 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 166 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 58.4 nC
CISS Typ (pF) 2592 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
低輸入電容
適合電源應(yīng)用的高 BV DSS額定值
低輸入/輸出泄漏


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