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DMTH6016LSDQ 60V 175°C 雙 N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH6016LSDQ

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH6016LSDQ
  • 名稱 60V 175°C 雙 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 SO-8

--- 產品詳情 ---

DMTH6016LSDQ 

 產品簡介
DIODES 的 DMTH6016LSDQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準并得到 PPAP 支持。

 

產品規格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH6016LSDQ
名稱                    60V 175°C 雙 N 溝道增強型 MOSFET
產地                    臺灣
封裝                    SO-8


產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 19.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環境溫度環境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關 – 確保更可靠、更穩健的最終應用 
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態損耗
低輸入電容
開關速度快


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