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港恒達(dá)半導(dǎo)體

一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子元器件批發(fā);電子元器件零售;電子產(chǎn)品銷售;集成電路芯片及產(chǎn)品銷售;半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售;光電子器件銷售;通訊設(shè)備銷售

9 內(nèi)容數(shù) 1.3k 瀏覽量 4 粉絲

柵極電源驅(qū)動(dòng)器、 晶體管 MOSFET

型號(hào): VNP35N07-E
品牌: ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 晶體管極性: N-Channel
  • 通道數(shù)量: 1 Channel
  • Vds-漏源極擊穿電 70 V
  • Id-連續(xù)漏極電流: 35 A
  • Rds On-漏源導(dǎo) 28 mOhms

--- 產(chǎn)品詳情 ---

參數(shù)

參數(shù)名稱屬性值
Brand NameSTMicroelectronics
廠商名稱ST(意法半導(dǎo)體)
零件包裝代碼SFM
包裝說明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數(shù)3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代碼EAR99
Factory Lead Time18 weeks
Samacsys DescriptionNULL
配置COMPLEX
最小漏源擊穿電壓60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)35 A
最大漏極電流 (ID)35 A
最大漏源導(dǎo)通電阻0.035 Ω
FET 技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼TO-220AB
JESD-30 代碼R-PSFM-T3
元件數(shù)量1
端子數(shù)量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
封裝形狀RECTANGULAR
封裝形式FLANGE MOUNT
極性/信道類型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
參考標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
表面貼裝NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶體管元件材料SILICON
最大關(guān)閉時(shí)間(toff)22500 ns
最大開啟時(shí)間(噸)804200 ns

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