產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DXTN10060DFJBWQ這款采用先進(jìn)的工藝能力來最大限度地提高這款 60V、NPN 晶體管的性能。W-DFN2020-3/SWP（A 型）封裝外形更小，降額高達(dá) +175°C，可為功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用提供更高的耗散。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DXTN10060DFJBWQ
名稱 60V NPN 低飽和 晶體管
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 W-DFN2020-3
產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 4
ICM (A) 6
PD (W) 1.8
hFE (Min) 340
hFE (@ IC) (A) 0.2
hFE(Min 2) 140
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 20
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 60
主要特征
BVCEO > 60V
IC = 4A 連續(xù)集電極電流
低飽和電壓（最大 100mV @1A）
RSAT = 60mΩ，可實(shí)現(xiàn)低等效導(dǎo)通電阻
hFE 指定高達(dá) 6A，可實(shí)現(xiàn)高電流增益保持
更嚴(yán)格的增益規(guī)格
適用于薄型應(yīng)用的薄型 0.62mm 高封裝
AOI 中可濕性側(cè)面的側(cè)壁鍍錫
RθJA 效率比 SOT23 低 60%
4mm2 占地面積，比 SOT23 小 50%
額定溫度 +175°C – 高溫環(huán)境的理想選擇
相關(guān)型號(hào)
DSS60600MZ4Q
DSS60601MZ4Q
DXT2011P5Q
DXT5551P5Q
DXT651Q
DXT751Q
DXTC3C100PDQ
DXTN10060DFJBQ
DXTN10060DFJBWQ
DXTN3C100PDQ
DXTN3C100PSQ
DXTN3C60PSQ
DXTP03200BP5Q
DXTP07025BFGQ
DXTP07040CFGQ
DXTP07060BFGQ
DXTP07100BFGQ
DXTP22040CFGQ
DXTP22040DFGQ
DXTP3C100PDQ
DXTP3C100PSQ
DXTP3C60PSQ
DZT5551Q
DZTA42Q
FCX1053AQ
FCX458Q
FCX493Q
FCX558Q
FCX591AQ
FMMT38CQ
FMMT411FDBWQ
FMMT411Q
FMMT459Q
FMMT491Q
FMMT494Q
FMMT560Q
FMMT591Q
FMMT596Q
FMMT614Q
FMMT634Q
FMMTA92Q
FZT1053AQ
FZT603Q
FZT651Q
FZT653Q
FZT751Q
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ
