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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DXTN3C100PSQ 100V 175°C NPN 低SAT 中功率 晶體管

型號(hào)： DXTN3C100PSQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DXTN3C100PSQ
  • 名稱(chēng) 100V 175°C NPN 低SAT 中功率 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DXTN3C100PSQ  

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DXTN3C100PSQ這款適用于汽車(chē)應(yīng)用需要特定的變更控制，并且AEC-Q101合格，具有PPAP功能，并在IATF16949:2016中制造認(rèn)證設(shè)施。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DXTN3C100PSQ
名稱(chēng)                    100V 175°C NPN 低SAT 中功率 晶體管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    PowerDI?5060-8

 


產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 3
ICM (A) 6
PD (W) 2.5
hFE (Min) 150
hFE (@ IC) (A) 0.5
hFE(Min 2) 20
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 150
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) 330
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 3/300
fT (MHz) 140
RCE(sat) (mΩ) 90


主要特征
BV首席執(zhí)行官> 100V
I C = 3A 連續(xù)集電極電流
I CM = 8A 峰值脈沖電流
R CE(sat) = 90mΩ（典型值）
補(bǔ)充部件 DXTP3C100PDQ

 

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