產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DGD0211CWTQ這款單高速/低側(cè) MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) 1.9A 的峰值電流。DGD0211C 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) TTL 和 CMOS 電平（低至 3.3V）兼容，可輕松與 MCU 連接。DGD0211C 提供同相和反相輸入。
由于具有 35ns 典型值的快速傳播時(shí)間和 15ns 典型值上升/下降時(shí)間，DGD0211C 非常適合開(kāi)關(guān)模式電源和 PFC 電路等高速應(yīng)用。
DGD0211C 采用 TSOT25 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DGD0211CWTQ
名稱 1.9A 高速單柵極 驅(qū)動(dòng)器
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TSOT25
產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Driver Type Single Low Side
Configuration Inverting / Non-Inverting
Supply Voltage Max (V) 18
Output Current Io+ Typ (mA) 1900
Output Current Io- Typ (mA) 1800
ton / toff Typ (ns) 35/35
tr / tf Typ (ns) 15/15
主要特征
用于驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 的高效低成本解決方案
寬電源電壓工作范圍：4.5V 至 18V
9A 拉電流/1.8A 灌電流輸出能力
同相和反相輸入配置
快速傳播延遲（典型值 35ns）
快速上升和下降時(shí)間（典型值 15ns）
邏輯輸入（IN、IN*）3.3V 能力
擴(kuò)展溫度范圍：-40°C 至 +125°C
相關(guān)型號(hào)
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