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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DGD0211CWTQ 1.9A 高速單柵極 驅(qū)動(dòng)器

型號(hào): DGD0211CWTQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DGD0211CWTQ
  • 名稱 1.9A 高速單柵極 驅(qū)動(dòng)器
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT25

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DGD0211CWTQ  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DGD0211CWTQ這款單高速/低側(cè) MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) 1.9A 的峰值電流。DGD0211C 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) TTL 和 CMOS 電平(低至 3.3V)兼容,可輕松與 MCU 連接。DGD0211C 提供同相和反相輸入。
由于具有 35ns 典型值的快速傳播時(shí)間和 15ns 典型值上升/下降時(shí)間,DGD0211C 非常適合開關(guān)模式電源和 PFC 電路等高速應(yīng)用。
DGD0211C 采用 TSOT25 封裝,工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DGD0211CWTQ
名稱                    1.9A 高速單柵極 驅(qū)動(dòng)器
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    TSOT25


產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Driver Type Single Low Side
Configuration Inverting / Non-Inverting
Supply Voltage Max (V) 18
Output Current Io+ Typ (mA) 1900
Output Current Io- Typ (mA) 1800
ton / toff Typ (ns) 35/35
tr / tf Typ (ns) 15/15

 


主要特征
用于驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 的高效低成本解決方案
寬電源電壓工作范圍:4.5V 至 18V
9A 拉電流/1.8A 灌電流輸出能力
同相和反相輸入配置
快速傳播延遲(典型值 35ns)
快速上升和下降時(shí)間(典型值 15ns)
邏輯輸入(IN、IN*)3.3V 能力
擴(kuò)展溫度范圍:-40°C 至 +125°C


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