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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DGD05473FNQ 高頻高側(cè) 低側(cè)柵極 驅(qū)動(dòng)器

型號(hào): DGD05473FNQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DGD05473FNQ
  • 名稱 高頻高側(cè) 低側(cè)柵極 驅(qū)動(dòng)器
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN3030-10

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DGD05473FNQ  

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá) 50V。
DGD05473 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) TTL 和 CMOS 電平(低至 3.3V)兼容,可輕松與 MCU 連接。高側(cè)和低側(cè)的 UVLO 可在電源丟失時(shí)保護(hù) MOSFET。為了保護(hù) MOSFET,跨導(dǎo)預(yù)防邏輯可防止 HO 和 LO 輸出同時(shí)打開(kāi)。
快速且匹配良好的傳播延遲可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率,從而使用更小的相關(guān)組件實(shí)現(xiàn)更小、更緊湊的電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。為了最大限度地減少空間,內(nèi)置了一個(gè)內(nèi)部自舉二極管。DGD05473 采用 U-DFN3030-10 封裝,工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DGD05473FNQ
名稱                    高頻高側(cè) 低側(cè)柵極 驅(qū)動(dòng)器
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    U-DFN3030-10


產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 50 V
Inputs HIN, LIN, EN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 20 ns
tOFF (Typ) (ns) 23 ns
tR (Typ) (ns) 16 ns
tF (Typ) (ns) 12 ns


主要特征
50V 浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
以半橋配置驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
1.5A 拉電流/2.5A 灌電流輸出能力
包含內(nèi)部自舉二極管 ?
用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓鎖定
延遲匹配最大值為 5ns
傳播延遲典型值為 20ns
邏輯輸入(HIN、LIN 和 EN)3.3V 能力
超低待機(jī)電流 (<1μA)
擴(kuò)展溫度范圍:-40°C 至 +125°C
完全領(lǐng)先-不含且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)(注釋 1 和 2)
不含鹵素和銻。“綠色”器件(注 3)
符合 AEC-Q100 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)
支持 PPAP(注 4)


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