型號 NTD2955T4G絲印 VBE2610N品牌 VBsemi參數 - 頻道類型 P溝道- 額定電壓 -60V- 額定電流 -38A- RDS(ON) 61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V- 門源電壓范圍 ±20V- 門源閾值電壓 -1.3V- 封裝類型 TO252應用簡介 NTD2955T4G（絲印 VBE2610N）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 NTD2955T4G是一款高壓、高電流承載能力的P溝道功率MOSFET。主要參數包括額定電壓為-60V，額定電流為-38A，RDS(ON)為61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓為-1.3V，封裝類型為TO252。應用領域 NTD2955T4G（VBE2610N）適用于多種領域和應用場景，特別適用于需要P溝道功率MOSFET的高壓、高電流電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 NTD2955T4G可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電動工具和汽車電子系統 它適用于電動工具和汽車電子系統中的驅動和控制電路，實現高功率和高效能的電力輸出。3. 電池管理系統 NTD2955T4G可用于電池管理系統中的充放電控制電路，提供高效能和可靠的電池管理能力。4. 電動車充電樁 NTD2955T4G適用于電動車充電樁中的開關電路，提供高效能的電能轉換和穩定的電流控制。5. 工業自動化和通信設備 NTD2955T4G適用于工業自動化和通信設備中的開關電路，提供電源管理和電流控制功能。綜上所述，NTD2955T4G（VBE2610N）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電動工具、汽車電子系統、電池管理系統、電動車充電樁、工業自動化和通信設備等領域模塊。它具有高壓、高電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
NTD2955T4G-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
型號：
NTD2955T4G-VB
品牌：
VBsemi(微碧)
