型號 SI2318DST1GE3 絲印 VB1330 品牌 VBsemi 參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V 封裝類型 SOT23應用簡介 SI2318DST1GE3（絲印 VB1330）是VBsemi公司生產的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 SI2318DST1GE3是一款N溝道功率MOSFET，適用于高電壓和高電流的應用。其主要參數包括額定電壓為30V，額定電流為6.5A，RDS(ON)為30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓范圍為1.2V~2.2V，封裝類型為SOT23。應用領域 SI2318DST1GE3（VB1330）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要N溝道功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 SI2318DST1GE3可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電動工具和家用電器 它可應用于電動工具和家用電器中的電機驅動電路，提供高效、可靠的電力輸出。3. 電池管理系統 SI2318DST1GE3可用于電池管理系統中的充放電控制電路，提供高效能和可靠的電池管理。4. 工控系統和通信設備 SI2318DST1GE3適用于工控系統和通信設備中的開關電路，提供穩定的電源管理和電流控制。綜上所述，SI2318DST1GE3（VB1330）是一款N溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電動工具、家用電器、電池管理系統、工控系統和通信設備等領域模塊。它具有低電阻和高電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 N溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 6.5A
- RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V
- 封裝類型 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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