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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI2318DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝溝道MOSFET

型號(hào): SI2318DS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻道類型 N溝道
  • 額定電壓 30V
  • 額定電流 6.5A
  • RDS(ON) 30mΩ @ 10V,33mΩ @ 4.5
  • 門源電壓范圍 ±20V
  • 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V
  • 封裝類型 SOT23

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) SI2318DST1GE3 絲印 VB1330 品牌 VBsemi 參數(shù)  頻道類型 N溝道  額定電壓 30V  額定電流 6.5A  RDS(ON) 30mΩ @ 10V,33mΩ @ 4.5V  門源電壓范圍 ±20V  門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V  封裝類型 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI2318DST1GE3(絲印 VB1330)是VBsemi公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介 詳細(xì)參數(shù)說明 SI2318DST1GE3是一款N溝道功率MOSFET,適用于高電壓和高電流的應(yīng)用。其主要參數(shù)包括額定電壓為30V,額定電流為6.5A,RDS(ON)為30mΩ @ 10V,33mΩ @ 4.5V,門源電壓范圍為±20V,門源閾值電壓范圍為1.2V~2.2V,封裝類型為SOT23。應(yīng)用領(lǐng)域 SI2318DST1GE3(VB1330)適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景,主要用于需要N溝道功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 SI2318DST1GE3可用于電源管理模塊中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出,改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 電動(dòng)工具和家用電器 它可應(yīng)用于電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,提供高效、可靠的電力輸出。3. 電池管理系統(tǒng) SI2318DST1GE3可用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制電路,提供高效能和可靠的電池管理。4. 工控系統(tǒng)和通信設(shè)備 SI2318DST1GE3適用于工控系統(tǒng)和通信設(shè)備中的開關(guān)電路,提供穩(wěn)定的電源管理和電流控制。綜上所述,SI2318DST1GE3(VB1330)是一款N溝道功率MOSFET,適用于電源管理模塊、電動(dòng)工具、家用電器、電池管理系統(tǒng)、工控系統(tǒng)和通信設(shè)備等領(lǐng)域模塊。它具有低電阻和高電流承載能力,適用于需要高功率和高效能的電路。
 

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