型號 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應用簡介 2SJ668是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的高功率應用。其最大耐壓為60V，最大電流為38A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于需要負極電壓控制的高功率DCDC轉換器、逆變器等。2. 高功率負載開關 可用于高功率負載開關和電源控制器。3. 汽車電子模塊 適用于汽車電子系統中的負極電源控制和負載開關。總之，2SJ668適用于負極電壓控制和高功率負載開關等應用領域的模塊設計，包括電源管理、高功率負載開關和汽車電子模塊等。
--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 38A
- 導通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.3Vth
- 封裝 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號：BUK661R9-40C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號：BUK661R8-30C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號：BUK661R6-30C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號：BUK6610-75C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號：BUK6607-55C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號：BUK657-600B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號：BUK657-500B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號：BUK657-500A-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號：BUK657-450B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號：BUK657-400B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N