型號 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡介 2SJ668是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關(guān)的高功率應(yīng)用。其最大耐壓為60V，最大電流為38A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于需要負極電壓控制的高功率DCDC轉(zhuǎn)換器、逆變器等。2. 高功率負載開關(guān) 可用于高功率負載開關(guān)和電源控制器。3. 汽車電子模塊 適用于汽車電子系統(tǒng)中的負極電源控制和負載開關(guān)。總之，2SJ668適用于負極電壓控制和高功率負載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計，包括電源管理、高功率負載開關(guān)和汽車電子模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 38A
- 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.3Vth
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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