型號 Si2338DST1GE3絲印 VB1330品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V封裝類型 SOT23應用簡介 Si2338DST1GE3（絲印 VB1330）是VBsemi公司生產的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 Si2338DST1GE3是一款N溝道功率MOSFET，適用于電感負載、開關電源和直流直流轉換器等需要高電流承載能力和低導通電阻的應用。主要參數包括額定電壓為30V，額定電流為6.5A，RDS(ON)為30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓范圍為1.2V~2.2V，封裝類型為SOT23。應用領域 Si2338DST1GE3（VB1330）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要N溝道功率MOSFET的高電流電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 Si2338DST1GE3可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電動工具和家用電器 它可應用于電動工具和家用電器中的電機驅動電路，提供高效、可靠的電力輸出。3. 汽車電子系統 Si2338DST1GE3適用于汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面，滿足汽車電子系統對高電流和高功率的要求。4. 工控系統和通信設備 Si2338DST1GE3適用于工控系統和通信設備中的開關電路，提供穩定的電源管理和電流控制。綜上所述，Si2338DST1GE3（VB1330）是一款N溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電動工具、汽車電子系統、工控系統和通信設備等領域模塊。它具有高電流承載能力和低導通電阻的特點，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 N溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 6.5A
- RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V
- 封裝類型 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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