--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 40V
- 最大電流 11A
- 導通電阻 13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.7Vth
- 封裝 SOP8
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 SI4401DDYT1GE3絲印 VBA2412品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 11A 導通電阻 13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.7Vth 封裝 SOP8應用簡介 SI4401DDYT1GE3 是一款 P溝道MOSFET,適用于負極電壓控制和負載開關的中功率應用。其最大耐壓為40V,最大電流為11A,具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計,主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負責電源開關和負載開關控制的電源管理模塊。2. 電動工具 可用于電動工具中的負載開關和電源控制。3. 汽車電子模塊 適用于汽車電子系統中的負載開關和電源控制。總之,SI4401DDYT1GE3 適用于負極電壓控制和負載開關的中功率應用領域的模塊設計,主要用于電源管理、電動工具和汽車電子模塊等。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N