--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 標(biāo)準(zhǔn)型號(hào) CGHV1F025S
- 標(biāo)準(zhǔn)功率 25 W
- 標(biāo)準(zhǔn)范圍 DC - 15 GHz
- 標(biāo)準(zhǔn)電壓 40 V
- 特性 GaN HEMT
--- 產(chǎn)品詳情 ---
一、產(chǎn)品描述
1.產(chǎn)品特性
CGHV1F025S Package Type: 3x4 DFN
PN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT
Description
Wolfspeed’s CGHV1F025S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electronmobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain andwide bandwidth capabilities. The device can be deployed for L-, S-, C-, X- andKu-Band amplifier applications. The datasheet specifications are based on aX-Band (8.9 - 9.6 GHz) amplifier. The CGHV1F025S operates on a 40 volt rail circuitwhile housed in a 3mm x 4mm, surface mount, dual-flat-no-lead (DFN) package.Under reduced power, the transistor can operate below 40V to as low as 20V VDD,maintaining high gain and efficiency
2.CGHV1F025S 技術(shù)規(guī)格
Features? Up to 15 GHz Operation? 25 W Typical Output Power? 11 dB Gain at 9.4 GHz? Application circuit for 8.9 - 9.6 GHz
二、應(yīng)用領(lǐng)域
? 工業(yè)控制領(lǐng)域:工業(yè)、控制設(shè)備美。
? 智能交通設(shè)備:收費(fèi)站、停車場、車內(nèi)語音提示;
? 廣告宣傳行業(yè):廣告語播報(bào);
三、CGHV1F025S 應(yīng)用電路圖

總結(jié)
提示:這里對(duì)文章進(jìn)行總結(jié):
例如:以上就是今天要講的內(nèi)容,本文僅僅簡單介紹了XX產(chǎn)品的使用,我們提供了大量方案產(chǎn)品,歡迎聯(lián)系,感謝您的關(guān)注。
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