型號 SI2309DS-T1-GE3-VB
絲印 VB2658
品牌 VBsemi
詳細參數說明
溝道類型 P溝道
額定電壓 -60V
額定電流 -5.2A
開通電阻 40mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V
門源極電壓 20Vgs (±V)
閾值電壓 -2Vth (V)
封裝類型 SOT23
應用簡介
SI2309DS-T1-GE3-VB是一種P溝道功率MOSFET，適用于各種領域的應用。它具有較高的額定電壓和額定電流，能夠提供可靠的功率放大和開關控制。其低開通電阻，在低電壓下能夠提供較低的功耗，同時保持較低的溫升。
這些產品適用于以下領域模塊
1. 電源模塊 SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于電源模塊中的開關電源，為電子設備提供穩定和高效的電源轉換。
2. 電機驅動模塊 由于SI2309DS-T1-GE3-VB具有較高的額定電流和低的開通電阻，它可以用于電機驅動模塊中，實現電機的高效、精確控制。
3. 照明模塊 SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于LED照明模塊中的開關電源，提供穩定和可靠的電源供應，以實現高亮度和節能的照明效果。
4. 電池管理模塊 SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于電池管理模塊中的電源開關和電流控制，以保護電池并提供高效的充放電控制。
總結而言，SI2309DS-T1-GE3-VB適用于各種領域模塊，包括電源模塊、電機驅動模塊、照明模塊和電池管理模塊等，用于功率放大、開關控制和電源轉換等應用。
