型號 15N10 TO252-VB
絲印 VBE1101M
品牌 VBsemi
詳細(xì)參數(shù)說明
溝道類型 N溝道
額定電壓 100V
額定電流 18A
靜態(tài)電阻 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
門源極電壓 ±20V
閾值電壓 1.6V
包裝類型 TO252
應(yīng)用簡介
15N10 TO252-VB MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用。它常用于功率放大、開關(guān)、逆變器等領(lǐng)域的電路模塊。
這些產(chǎn)品可以用在以下領(lǐng)域模塊上
1. 功率放大器模塊 由于15N10 TO252-VB具有較高的額定電流和電壓，它可以用于放大和驅(qū)動(dòng)高功率信號的功率放大器模塊。
2. 開關(guān)模塊 15N10 TO252-VB的高電流和低電阻特性使其成為開關(guān)模塊中的理想選擇，能夠在開關(guān)電路中高效地切換高功率負(fù)載。
3. 逆變器模塊 由于具有較高的額定電壓和電流能力，15N10 TO252-VB可用于逆變器模塊，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、電動(dòng)車充電器等領(lǐng)域。
總之，15N10 TO252-VB MOSFET適用于需要高電壓和高電流驅(qū)動(dòng)的領(lǐng)域模塊，如功率放大器、開關(guān)和逆變器模塊
