IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N溝道功率金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），具有以下詳細參數說明
最大耐壓（VDS） 200V
最大電流（ID） 35A
導通電阻（RDS(ON)） 58mΩ @ 10V, 20V Gs（±V）
閾值電壓（Vth） 3V
封裝形式 TO220
應用簡介
IRFB31N20DPBF-VB適用于低電壓高電流應用。它可以用于各種需要高功率開關的場景，具有低導通電阻和高耐壓能力，可實現高效率的電源開關和電能轉換。
該產品適用于以下領域模塊
1. 電源模塊 IRFB31N20DPBF-VB適用于各種電源模塊，包括電源逆變器、開關穩壓電源、UPS電源等。它的低導通電阻和高耐壓能力可提供高效、可靠的電源開關功能。
2. 驅動模塊 IRFB31N20DPBF-VB可以用于驅動單相或三相電機的驅動模塊。其高電流能力和低導通電阻可提供高效的電機驅動功能。
3. 照明模塊 IRFB31N20DPBF-VB適用于LED照明模塊的開關。其低導通電阻和高耐壓能力可實現高效率的照明控制。
總之，IRFB31N20DPBF-VB適用于涉及高電流、低電壓和高效率的各種應用領域，包括電源模塊、驅動模塊和照明模塊等。
