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TC1504N 1W高線性高效率GaAs功率場效應 晶體管

型號： TC1504N

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric
  • 型號 TC1504N
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產品詳情 ---

TC1504N

型號簡介
TC1504N是一種具有高線性的GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）以及高功率附加效率。該器件是在沒有通孔的情況下處理的，用于單偏壓應用。這個短的柵極長度使該器件能夠在高達20GHz的電路中使用。所有設備都經過100%直流測試，以確保始終如一的質量。焊盤是鍍金的，用于熱壓或熱聲引線接合。背面鍍金與標準AuSn管芯連接兼容。典型應用包括商業高性能功率放大器。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric
型號                    TC1504N
名稱                    砷化鎵HEMT
產地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數
12 GHz典型功率的1W照片放大
線性功率增益：GL=9 dB，典型頻率為12 GHz
高線性度：IP3=40 dBm，典型頻率為12 GHz
用于單偏壓應用的非通孔源
適用于高可靠性應用
擊穿電壓：BVDGO313.5 V
Lg=0.25 mm，Wg=2.4 mm
高功率附加效率：12 GHz時標稱PAE為43%
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試


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