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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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TC1504N 1W高線性高效率GaAs功率場效應(yīng) 晶體管

型號: TC1504N

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric
  • 型號 TC1504N
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1504N

型號簡介
TC1504N是一種具有高線性的GaAs偽晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)以及高功率附加效率。該器件是在沒有通孔的情況下處理的,用于單偏壓應(yīng)用。這個短的柵極長度使該器件能夠在高達(dá)20GHz的電路中使用。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測試,以確保始終如一的質(zhì)量。焊盤是鍍金的,用于熱壓或熱聲引線接合。背面鍍金與標(biāo)準(zhǔn)AuSn管芯連接兼容。典型應(yīng)用包括商業(yè)高性能功率放大器。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric
型號                    TC1504N
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數(shù)
12 GHz典型功率的1W照片放大
線性功率增益:GL=9 dB,典型頻率為12 GHz
高線性度:IP3=40 dBm,典型頻率為12 GHz
用于單偏壓應(yīng)用的非通孔源
適用于高可靠性應(yīng)用
擊穿電壓:BVDGO313.5 V
Lg=0.25 mm,Wg=2.4 mm
高功率附加效率:12 GHz時標(biāo)稱PAE為43%
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試


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