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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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TC2381 低噪聲和中等功率 GaAs FET

型號(hào)： TC2381

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號(hào) TC2381
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Ceramic micro-X

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC2381

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC2381是一種高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管，安裝在帶有TC1301的陶瓷micro-x封裝中PHEMT芯片。它具有非常低的噪聲系數(shù)、高的相關(guān)增益和高的動(dòng)態(tài)范圍，使該設(shè)備成為可能適用于低噪聲放大器。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測(cè)試，以確保質(zhì)量一致。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號(hào)                    TC2381
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Ceramic micro-X
 

型號(hào)參數(shù)
0.9 dB 12 GHz時(shí)的典型噪聲系數(shù)
高相關(guān)增益：Ga=9 dB，典型頻率為12 GHz
12 GHz時(shí)的24.5 dBm典型功率
12 GHz時(shí)的10 dB典型線性功率增益
擊穿電壓：BVDGO≥9 V
Lg=0.25μm，Wg=600μm
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測(cè)試
Micro-X金屬陶瓷封裝

 

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