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TC1606 2W高線性高效率GaAs功率場效應 晶體管

型號： TC1606

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1606
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產品詳情 ---

TC1606

型號簡介
Sumitomo的TC1606是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT），具有高線性和高功率附加效率。該裝置采用適當的通孔工藝進行處理，提供了低成本熱阻和低電感。長的柵極長度使得器件具有高擊穿電壓。所有設備都經過100%直流測試，以確保質量一致。焊盤為鍍金熱壓或熱聲引線接合。背面鍍金與標準AuSn兼容模具連接。典型應用包括商用高性能功率放大器


型號規格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1606
名稱                    砷化鎵HEMT
產地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數
2W 6 GHz時的典型功率
線性功率增益：GL=12 dB 6 GHz時的典型值
高線性度：IP3=43 dBm，6 GHz時典型
過孔源接地
適用于高可靠性應用
擊穿電壓：BVDGO≥18V
Lg=0.6μm，Wg=5 mm
高功率附加效率：6 GHz時標稱PAE為43%
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試


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