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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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TC1202P0912 超低噪聲GaAs FET

型號(hào)： TC1202P0912

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號(hào) TC1202P0912
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1202P0912 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC1202是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備可用于高達(dá)30 GHz的電路，適用于低噪聲應(yīng)用。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測(cè)試確保始終如一的質(zhì)量。所有焊盤均鍍金，用于熱壓或熱聲波導(dǎo)線粘合。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號(hào)                    TC1202P0912
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號(hào)參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.5 dB 12 GHz時(shí)的典型值
高相關(guān)增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=300μm
全金金屬化，實(shí)現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測(cè)試


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