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TC1201V 低噪聲和中等功率GaAs FET

型號: TC1201V

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1201V
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產品詳情 ---

TC1201V 

型號簡介
Sumitomo的TC1201V與TC1201相同,除了源極中的通孔降低了接地電感。這個器件被加工成具有用于高增益應用的通孔。它可以在高達30 GHz的電路中使用,并且適合用于低噪聲和中等功率放大器應用,應用所有設備都經過100%直流測試,以確保質量一致。所有焊盤均鍍金熱壓或熱聲引線接合。


型號規格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1201V
名稱                    砷化鎵HEMT
產地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數
電源接地過孔
低噪聲系數:NF=0.5 dB 12 GHz時的典型值
高相關增益:Ga=13 dB,典型頻率為12 GHz
高動態范圍:1 dB壓縮功率P-1=21.5 dBm,6 V,
40毫安和12千兆赫
擊穿電壓:BVDGO≥9 V
Lg=0.25μm,Wg=300μm
全金金屬化,實現高可靠性
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試


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