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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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F658-E070MK 高壓-大功率GaN HEMT

型號： F658-E070MK

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 F658-E070MK
  • 名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
  • 產地 日本
  • 封裝 DFN

--- 產品詳情 ---

F658-E070MK

型號簡介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。該設備的目標應用是低電流和寬帶高電壓應用。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    F658-E070MK
名稱                    GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地                    日本
封裝                    DFN
 

型號參數
高壓操作：VDS=50V
高功率：49.5dBm（典型值）@Psat
高效率：70%（典型值）@Psat
線性增益：21.0dB（典型值）@f=0.9GHz
經驗證的可靠性


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