NTD5867NLT4G-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

MOSFET MOS管 VBsemi

型號(hào)： NTD5867NLT4G-VB

品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

溝道 N溝道
封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

NTD5867NLT4G-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NTD5867NLT4G (VBE1638)參數(shù)說明：N溝道，60V，45A，導(dǎo)通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。

應(yīng)用簡介：NTD5867NLT4G適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于高功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。

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微碧半導(dǎo)體VBsemi

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--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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微碧半導(dǎo)體VBsemi

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--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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