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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI2323CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): SI2323CDS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)參數(shù)說(shuō)明:P溝道,-30V,-5.6A,導(dǎo)通電阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),閾值電壓-1V,封裝:SOT23。


應(yīng)用簡(jiǎn)介:SI2323CDS-T1-GE3適用于功率開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,提高效率。
適用領(lǐng)域與模塊:適用于電源開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和逆變器等領(lǐng)域模塊,特別適合要求低功率損耗的場(chǎng)景。
 

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