--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGN2731-500L-R
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
- 產地 日本
- 封裝 IV
--- 產品詳情 ---
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型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R為s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性,具有50V操作和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件,占空比高達10%。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGN2731-500L-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地 日本
封裝 IV
型號參數
高功率:550W(典型)@引腳=31.6W(45dBm)
高效率:57%(典型值)@引腳=31.6W(45dBm)
寬帶:2.7至3.1GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
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