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SGK5867-30C C波段 內部匹配 GaN HEMT

型號： SGK5867-30C

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGK5867-30C
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產地 日本
  • 封裝 IBK

--- 產品詳情 ---

SGK5867-30C 

型號簡介
Sumitomo的SGK5867-30C是一種高功率GaN HEMT與標準通信頻帶匹配，以提供最佳50歐姆系統中的功率和增益。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGK5867-30C
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地                    日本
封裝                    IBK


型號參數
高輸出功率：P5dB=45.0dBm（典型）
高線性增益：GL=15.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=41%（典型值）
寬帶：5.85至6.75GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝


相關型號
SGK5867-30C
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