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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SGN3133-260H-R 雷達(dá)用高壓大功率 GaN HEMT

型號： SGN3133-260H-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGN3133-260H-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN3133-260H-R

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R為50V工作的s波段雷達(dá)應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達(dá)200μsec脈沖寬度的長脈沖，占空比為10%。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGN3133-260H-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IK


型號參數(shù)
高功率：320W（典型）@引腳=22.9W（43.6dBm）
高效率：57%（典型值）@引腳=22.9W（43.6dBm）
寬帶：3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω


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