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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SGC5259-400B-R C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

型號： SGC5259-400B-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGC5259-400B-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 封裝

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGC5259-400B-R

型號簡介
Sumitomo的SGC5259-400B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGC5259-400B-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IK


型號參數(shù)
高輸出功率：Psat=57.2dBm（典型值）
高增益：Gp=14.2dB（典型值）
高排水效率：DE=50%（典型值）
寬帶：5.2至5.9GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝


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