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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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F658-5867-100A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

型號： F658-5867-100A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 F658-5867-100A
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 I2F

--- 產(chǎn)品詳情 ---

F658-5867-100A

型號簡介
Sumitomo的F658-5867-100A是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部與標準通信頻帶匹配，以提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    F658-5867-100A
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    I2F


型號參數(shù)
高輸出功率：P5dB=50.5dBm（典型）
高線性增益：GL=13.5dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=45%（典型值）
寬帶：5.85至6.75GHz
密封包裝


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