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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4948BEY-T1-E3-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: SI4948BEY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:SI4948BEY-T1-E3-VB
絲印:VBA4658
品牌:VBsemi
參數:
- 類型:2個P溝道
- 額定電壓(Vds):-60V
- 最大持續電流(Id):-5.3A
- 導通電阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負)
- 閾值電壓范圍(Vth):-1~-3V
- 封裝:SOP8

應用簡介:
SI4948BEY-T1-E3-VB是一對P溝道場效應晶體管(MOSFET),同時包含兩個P溝道MOSFET。它適用于需要負向電壓操作的電子應用,如電源開關、電池保護和負載開關。

詳細參數說明:
1. **類型**:這是一對P溝道MOSFET,同時包含兩個P溝道MOSFET。P溝道MOSFET在輸入負向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。

2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為-60V。這表示在正常工作條件下,其電壓可以是負向的,但應不超過-60V。

3. **最大持續電流(Id)**:這對P溝道MOSFET的每個MOSFET的最大電流承受能力為-5.3A。負號表示電流流向是從源到漏極。

4. **導通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導通狀態下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為58mΩ,表示在導通狀態下的功耗相對較低。

5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態。

6. **閾值電壓范圍(Vth)**:這對P溝道MOSFET的每個MOSFET的閾值電壓范圍為-1~-3V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓范圍。

7. **封裝**:這對P溝道MOSFET采用SOP8封裝,這是一種常見的封裝類型,適用于多種電路應用。

應用領域:
SI4948BEY-T1-E3-VB這對P溝道MOSFET適用于多種需要負向電壓操作的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊:

1. **電池保護**:可用于電池保護電路,以確保電池不過充電或過放電。

2. **電源開關**:可用于負向電壓電源開關,如電壓轉換和電源控制。

3. **負載開關**:用于控制負載的通斷,如LED照明系統、電動工具和電子設備。

4. **電池充放電**:用于電池充電和放電管理電路,以確保安全和高效的電池使用。

總之,這對P溝道MOSFET適用于需要負向電壓操作的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能。它們特別適用于電池保護和負載開關應用。
 

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