描述
SST26VF064B串行四通道I/O (SQI)閃存器件利用4位多路復用I/O串行接口來提高性能，同時保持標準串行閃存器件的緊湊外形。SST26VF064B還支持與傳統串行外設接口(SPI)協議完全兼容的命令集。SST26VF064B的工作頻率可達104 MHz，支持最小延遲就地執行(XIP)功能，無需在SRAM上進行代碼屏蔽。該器件的高性能和可靠性使其成為網絡設備、DSL和電纜調制解調器、無線局域網、計算、數字電視、智能電表、服務器、機頂盒、汽車和其它工業應用的理想選擇。SST專有的高性能CMOS SuperFlash技術可帶來更多優勢，顯著提高性能和可靠性，并降低高帶寬、緊湊型設計的功耗。 SST26VF064B上電時的默認設置是WP#和HOLD引腳使能，SIO2和SIO3引腳禁用，允許SPI協議操作，無需寄存器配置。 SST26VF064BA上電時默認禁用WP#和HOLD引腳，使能SIO2和SIO3引腳，無需寄存器配置即可實現四路I/O操作。
特性
串行接口架構——半字節寬多路復用I/O，具有類似SPI的串行命令結構:模式0和模式3 x1/x2/x4串行外設接口(SPI)協議和SQI協議 突發模式——連續線性突發，8/16/32/64字節線性突發，帶回繞 頁面編程-在x1或x4模式下每頁256字節 靈活的擦除能力——統一的4k字節扇區、四個8k字節頂部和底部參數覆蓋塊、一個32k字節頂部和底部覆蓋塊、統一的64k字節覆蓋塊 軟件寫保護-單個塊鎖定:64千字節塊、兩個32千字節塊和八個8千字節參數塊 低功耗:有效讀取電流:15 mA(典型值@ 104 MHz)，待機電流:15 A(典型值) 串行閃存可發現參數(SFDP) 溫度選項: 工業級-40°C至+85°C，擴展級-40°C至+105°C 可用封裝:8引腳WDFN(6毫米x 5毫米)、8引腳SOIC (208毫米)、16引腳SOIC (300毫米)、24引腳TBGA(6毫米x 8毫米) 所有器件都符合RoHS標準 提供汽車2級和3級
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