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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2371EDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

型號: SI2371EDS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:SI2371EDS-T1-GE3-VB
絲印:VB2355
品牌:VBsemi
參數:
- 類型:P溝道
- 額定電壓(Vds):-30V
- 最大持續電流(Id):-5.6A
- 導通電阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負)
- 閾值電壓(Vth):-1V
- 封裝:SOT23

應用簡介:
SI2371EDS-T1-GE3-VB是一款P溝道場效應晶體管(MOSFET),適用于需要低導通電阻和負向電壓操作的電子應用。它在電源開關、電池管理、負載開關等領域具有廣泛的應用。

詳細參數說明:
1. **類型**:這是一款P溝道MOSFET,意味著它在輸入負向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。

2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負向電壓條件下工作。

3. **最大持續電流(Id)**:這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.6A。負號表示電流流向是從源到漏極。

4. **導通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導通狀態下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為47mΩ,表示在導通狀態下的功耗相對較低。

5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態。

6. **閾值電壓(Vth)**:這款MOSFET的閾值電壓為-1V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。

7. **封裝**:這款MOSFET采用SOT23封裝,這是一種常見的小型封裝類型,適用于緊湊的電路設計。

應用領域:
SI2371EDS-T1-GE3-VB這款MOSFET適用于多種需要低導通電阻和負向電壓操作的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊:

1. **電源開關**:可用于低電阻負向電壓電源開關,如電壓轉換和電源控制。

2. **電池管理**:可用于電池充電和放電管理,以確保安全和高效的電池使用。

3. **負載開關**:用于控制負載的通斷,如LED照明系統、電動工具和電子設備。

4. **電源保護**:可用于電源保護電路,以防止過流、過壓等異常情況。

5. **電流控制**:可用于電流控制電路,如電池充電器和電流放大器。

總之,這款P溝道MOSFET適用于需要低導通電阻和負向電壓操作的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在需要負向電壓操作的應用中。
 

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