--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):ISL9N308AD3-VB
絲印:VBE1307
品牌:VBsemi
參數(shù)說(shuō)明:
- 極性:N溝道
- 額定電壓:30V
- 最大連續(xù)漏極電流:60A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V
- 門極-源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 開(kāi)啟電壓(門極閾值電壓):1.6V
- 封裝:TO252
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應(yīng)用簡(jiǎn)介:
ISL9N308AD3-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件,具有高電流承受能力和低漏極-源極電阻。這使其適用于多種高性能電子應(yīng)用領(lǐng)域。
應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源模塊**:由于ISL9N308AD3-VB具有低漏極-源極電阻,它適用于開(kāi)關(guān)電源、電池保護(hù)和電源管理模塊,有助于提高電能轉(zhuǎn)換效率。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:這種MOSFET器件的高電流承受能力使其非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)控制和電機(jī)保護(hù),可用于各種電機(jī)應(yīng)用。
3. **電池管理**:在電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具和便攜式設(shè)備中,ISL9N308AD3-VB可用于電池管理系統(tǒng),確保電池的安全充放電和保護(hù)。
4. **高頻開(kāi)關(guān)電路**:由于其低電阻和高性能,這種MOSFET適用于高頻開(kāi)關(guān)電路,如DC-DC變換器、電源逆變器等。
5. **LED驅(qū)動(dòng)**:ISL9N308AD3-VB可用于LED驅(qū)動(dòng)器和照明控制,以提供高效的LED照明。
總之,ISL9N308AD3-VB是一款多功能的電子器件,適用于需要高電流、低電阻、高效率和可靠性的各種電子應(yīng)用領(lǐng)域。它可以用于電源管理、電機(jī)控制、電池保護(hù)、高頻開(kāi)關(guān)電路、LED照明等模塊。
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