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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2301CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: SI2301CDS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:SI2301CDS-T1-GE3-VB
絲印:VB2290
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- MOSFET類型:P溝道
- 額定電壓:-20V
- 最大電流:-4A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs
- 閾值電壓(Vth):-0.81V
- 封裝:SOT23

應(yīng)用簡介:
SI2301CDS-T1-GE3-VB是一款P溝道MOSFET,適用于多種電子設(shè)備和電路中,特別適用于需要功率開關(guān)和負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用。

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說明:**

1. **電源開關(guān)模塊**:
  - 由于其P溝道MOSFET的特性,SI2301CDS-T1-GE3-VB適用于電源開關(guān)模塊,可用于功率開關(guān)和電源管理。
  - 在便攜式電子設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、充電器和適配器中用于實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和管理。

2. **負(fù)載開關(guān)模塊**:
  - 該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力使其成為負(fù)載開關(guān)模塊的理想選擇。
  - 在LED照明、電機(jī)控制、工業(yè)自動化等領(lǐng)域中用于高效的負(fù)載開關(guān)控制。

3. **電池保護(hù)模塊**:
  - SI2301CDS-T1-GE3-VB可用于電池保護(hù)模塊,用于控制和保護(hù)鋰電池等電池的充電和放電。
  - 在便攜式電子設(shè)備、電池組裝設(shè)備、電動工具中用于保護(hù)電池免受過充和過放的損害。

4. **電機(jī)驅(qū)動模塊**:
  - 該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動模塊,提供電機(jī)控制和驅(qū)動。
  - 在電動工具、電動汽車電機(jī)控制、工業(yè)電機(jī)控制等領(lǐng)域中用于提高電機(jī)的性能和效率。

總結(jié),SI2301CDS-T1-GE3-VB是一款P溝道MOSFET,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)和電機(jī)驅(qū)動等多個領(lǐng)域的模塊。其特性使其成為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分,有助于提高效率、可靠性和功率管理能力。

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