型號：NID6002NT4G-VB
絲印：VBE1695
品牌：VBsemi
參數說明：
- 極性：N溝道
- 額定電壓：60V
- 最大連續漏極電流：18A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：73mΩ @ 10V，85mΩ @ 4.5V
- 門極-源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 開啟電壓（門極閾值電壓）：2V
- 封裝：TO252

應用簡介：
NID6002NT4G-VB是一款N溝道場效應晶體管（MOSFET）器件，具有適中電流承受能力和低漏極-源極電阻，適用于多種電子應用領域。

應用領域：
1. **電源模塊**：NID6002NT4G-VB適用于開關電源、電源管理模塊和電池保護電路，有助于提高電能轉換效率，特別適用于低電壓電源管理。

2. **電機驅動**：這種MOSFET器件的適中電流承受能力和低電阻使其非常適合用于電機驅動器、電機控制和電機保護，可用于各種電機應用。

3. **電池管理**：在電動汽車、電動工具和便攜式設備中，NID6002NT4G-VB可用于電池管理系統，確保電池的安全充放電和保護，尤其在需要低電壓的應用中。

4. **電源開關**：這種MOSFET可用于低電壓和低電流的開關電路，如電源開關和電源逆變器。

5. **便攜式設備**：NID6002NT4G-VB可用于便攜式設備的電源管理、信號開關和電池管理，如智能手機、平板電腦和便攜式電子設備。

總之，NID6002NT4G-VB是一款多功能的電子器件，適用于需要適中電流承受能力、低電阻和可靠性的各種電子應用領域。它可以用于電源管理、電機控制、電池保護、電源開關、便攜式設備等模塊。