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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDC6401N-VB一款2個N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析

型號: FDC6401N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: FDC6401N-VB
絲印: VB3222
品牌: VBsemi
參數:
- 溝道類型: N溝道
- 額定電壓: 20V
- 最大電流: 4.8A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 22mΩ @ 4.5V
- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 28mΩ @ 2.5V
- 門源電壓 (Vgs): ±12V
- 閾值電壓 (Vth): 1.2V 至 2.2V
- 封裝: SOT23-6

應用簡介:
FDC6401N-VB是一種N溝道場效應晶體管 (FET),具有兩個N溝道晶體管集成在一個封裝內,適用于多種電子設備和應用領域,具有以下主要應用:

1. **電源開關:** FDC6401N-VB可用作電源開關,用于控制電路中的電流流動。其雙N溝道設計適合各種開關應用。

2. **電子開關:** 適用于各種電子開關應用,如開關電源、電源分配單元、電源管理模塊等。

3. **電流控制:** 可以用于電流控制電路,例如電流限制器和電流源。

4. **電源管理:** 在電源管理模塊中,FDC6401N-VB可以幫助控制電源的開關和穩定輸出電壓。

5. **負載切換:** 可以用于負載切換器,幫助控制負載的連接和斷開。

6. **電池保護:** 在鋰電池保護電路中,FDC6401N-VB可用于實現電池的充電和放電控制,確保電池的安全運行。

這些應用領域涵蓋了各種電子設備和模塊,FDC6401N-VB的雙N溝道設計使其成為用于控制電流和電壓的重要元件,特別是在電源管理和電流控制方面。其高性能和集成設計有助于簡化電路設計和減小封裝尺寸。

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