型號：NCE55P04S-VB
絲印：VBA4658
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：2個P溝道
- 額定電壓：-60V
- 最大連續(xù)電流：-5.3A
- 靜態(tài)開啟電阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：-1V 至 -3V
- 封裝類型：SOP8

應(yīng)用簡介：
NCE55P04S-VB 是一款具有2個P溝道的MOSFET，適用于需要高性能功率開關(guān)的電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊：

1. **電源開關(guān)模塊**：該MOSFET可用于電源開關(guān)模塊，以實現(xiàn)高效電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。它適用于便攜設(shè)備、電源管理系統(tǒng)和低電壓電源應(yīng)用。

2. **電池保護模塊**：在需要保護電池免受過放電和過充電的應(yīng)用中，NCE55P04S-VB 可用于電池保護電路，確保電池的安全運行。

3. **DC-DC變換器**：在需要高效的DC-DC變換器中，這款MOSFET可用于幫助實現(xiàn)電壓升降和電能轉(zhuǎn)換。它適用于便攜式設(shè)備、通信設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用。

4. **電機驅(qū)動模塊**：NCE55P04S-VB 可用于電機驅(qū)動和控制模塊，包括直流電機、步進電機和無刷直流電機驅(qū)動。

5. **電流控制模塊**：在需要高性能電流控制的應(yīng)用中，這款MOSFET可以用于電流傳感器和電流放大器模塊。

NCE55P04S-VB 具有2個P溝道，適用于需要同時控制兩個P溝道MOSFET的應(yīng)用，以實現(xiàn)高性能功率開關(guān)。在實際應(yīng)用中，請務(wù)必遵守數(shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件，以確保最佳性能和可靠性。