型號(hào)：FDN336P-NL-VB
絲印：VB2290
品牌：VBsemi
參數(shù)說明：
- 極性：P溝道
- 額定電壓：-20V
- 最大連續(xù)漏極電流：-4A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V
- 門極-源極電壓（Vgs）：12V（±V）
- 開啟電壓（門極閾值電壓）：-0.81V
- 封裝：SOT23

應(yīng)用簡介：
FDN336P-NL-VB是一款P溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有低漏極-源極電阻和低功耗，適用于多種低壓低功率電子應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域：
1. **便攜式設(shè)備**：FDN336P-NL-VB常用于便攜式設(shè)備中，如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式音頻設(shè)備，用于電源管理、電池保護(hù)和信號(hào)開關(guān)。

2. **電池管理**：在便攜式設(shè)備和低功耗傳感器中，這種MOSFET器件可用于電池保護(hù)、電池均衡和低功耗電池管理。

3. **信號(hào)開關(guān)**：FDN336P-NL-VB可用于低壓低功耗信號(hào)開關(guān)和模擬開關(guān)，用于控制電路的開關(guān)和信號(hào)傳輸。

4. **嵌入式系統(tǒng)**：在嵌入式系統(tǒng)、傳感器接口和小型控制器中，這款MOSFET也可用于低功耗電子應(yīng)用。

總之，F(xiàn)DN336P-NL-VB是一款低壓低功耗的P溝道MOSFET，適用于需要低漏極-源極電阻和低功耗的各種低壓低功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。它可以用于便攜式設(shè)備、電池管理、信號(hào)開關(guān)和嵌入式系統(tǒng)等模塊。