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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SGFCF2002S-D 高壓 大功率GaN HEMT

型號(hào): SGFCF2002S-D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號(hào) SGFCF2002S-D
  • 名稱 氮化鎵晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Z2D

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGFCF2002S-D 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的ES/SGFCF2002S-D是一種部分預(yù)匹配的20W GaN具有集成2W驅(qū)動(dòng)器級(jí)的放大器。它被安置在一個(gè)低成本的塑料中包裹兩級(jí)放大器提供高功率和高增益,以及卓越的效率。它適用于DC-3的寬帶應(yīng)用GHz。用戶定義的輸入、級(jí)間和輸出匹配電路允許要針對(duì)感興趣的特定波段進(jìn)行調(diào)諧的性能。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號(hào)                    SGFCF2002S-D
名稱                    氮化鎵晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Z2D


型號(hào)參數(shù)
塑料封裝中的兩級(jí)GaN
HAST兼容GaN技術(shù)
28V和50V均可操作
CW輸出功率:28V時(shí)10W,50V時(shí)20W
適用于DC–3GHz的寬帶應(yīng)用


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