型號: FQD2N60C-VB
絲印: VBE165R02
品牌: VBsemi
參數:
- N溝道
- 額定電壓：650V
- 最大電流：2A
- 開通電阻：4300mΩ @ 10V, 3440mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓：2V (Vth)
- 封裝：TO252

應用簡介:
FQD2N60C-VB是一款高壓N溝道MOSFET器件，適用于多種高電壓應用。這款器件可以在以下應用模塊中發揮作用：

1. 電源開關模塊: FQD2N60C-VB可用于高壓電源開關、開關穩壓器、逆變器等，以提供高效的電源管理和電源轉換。

2. 照明驅動模塊: 適用于高壓LED驅動和照明系統，以實現高效的LED亮度控制和照明管理。

3. 高壓開關模塊: 用于高電壓開關應用，如電磁繼電器和高壓開關電路。

4. 電源逆變器: 在太陽能逆變器和電動汽車充電器等高壓逆變器中發揮作用。

FQD2N60C-VB由于其高電壓承受能力，適用于需要高電壓開關、電源管理和電源轉換的領域，為系統提供高性能和高效能的電源解決方案。