型號：2SK2857-VB

**絲印：** VBI1695

**品牌：** VBsemi

**參數：**
- 類型：N溝道
- 額定電壓（Vds）：60V
- 最大電流（Id）：5A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1~3V
- 封裝：SOT89-3

**產品簡介：**
2SK2857-VB是VBsemi生產的N溝道場效應晶體管（MOSFET），適用于各種電子應用。該器件具有中等電流和電壓特性，適用于需要中等功率和電流控制的電路。

**主要特點：**
- 中等電流和電壓：適用于中等電流和電壓負載，具有合適的性能。
- 低導通電阻：具有低的靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)），有助于減少功耗和提高效率。
- 閾值電壓范圍：可適應不同的電路控制需求，具有較寬的閾值電壓范圍。
- SOT89-3封裝：小巧的SOT89-3封裝適合緊湊的電路設計。

**應用領域：**
2SK2857-VB通常用于以下領域和模塊：

1. **低功耗電子設備：** 由于其中等電流和電壓特性，它常被用于低功耗電子設備，如便攜式設備、傳感器和小型電源管理。

2. **信號開關：** 在信號開關電路中，例如在模擬和數字電路中的開關電路，以實現信號的切換和控制。

3. **電源管理：** 2SK2857-VB可以用于電源管理模塊，例如電池充電、電源選擇和低功耗待機模式。

4. **音頻放大器：** 在低至中等功率音頻放大器電路中，它可以用于增強音頻信號的放大性能。

需要注意的是，具體的應用領域可能會因產品用途、電路設計和規格要求而有所不同。在選擇和使用這種型號時，建議根據具體應用的電氣特性和性能要求來確定其適用性。這款器件適合需要中等功率和電流控制的應用。