型號：FDD3672-VB
絲印：VBE1104N
品牌：VBsemi
參數(shù)：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252
封裝：TO252

詳細參數(shù)說明：
- 型號：FDD3672-VB
- 絲印：VBE1104N
- 品牌：VBsemi
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：100V
- 最大電流：40A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓：20Vgs (±V)
- 閾值電壓：1.8V

應(yīng)用簡介：
這款FDD3672-VB是一款N溝道MOSFET，適用于各種電子模塊和應(yīng)用，特別是在需要高電流開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的情況下。

應(yīng)用領(lǐng)域：
這種產(chǎn)品通常用在以下領(lǐng)域的模塊上：
1. 電源供應(yīng)模塊：用于電源開關(guān)和電流控制。
2. 電機驅(qū)動模塊：在電機控制中，可以用于快速開關(guān)和調(diào)節(jié)電機速度。
3. 逆變器模塊：用于轉(zhuǎn)換直流電到交流電的應(yīng)用，如太陽能逆變器和電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)。
4. LED驅(qū)動模塊：控制LED亮度和色溫，實現(xiàn)能效優(yōu)化。
5. 電子開關(guān)模塊：在各種開關(guān)應(yīng)用中，如照明開關(guān)、電源管理開關(guān)等。

這款器件的低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力使其在上述領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力。