型號：IPD60R3K3C6-VB
絲印：VBE165R04
品牌：VBsemi
參數：
- N溝道
- 最大耐壓：650V
- 最大電流：4A
- 靜態導通電阻：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓：3.5V
- 封裝：TO252
**詳細參數說明：**
IPD60R3K3C6-VB是一款N溝道MOSFET，最大耐壓為650V，最大電流為4A。其靜態導通電阻在不同電壓下表現如下：在10V下為2200mΩ，在4.5V下為2750mΩ，驅動電壓范圍為±20V。閾值電壓為3.5V。該器件采用TO252封裝，有著適中的尺寸和散熱性能。
**應用簡介：**
IPD60R3K3C6-VB適用于多種領域的模塊，包括但不限于：
1. **電源開關模塊**：由于其較高的耐壓和適中的電流能力，它可用于電源開關和開關模式電源供應模塊，有助于提高電能轉換效率。
2. **逆變器和開關電源**：在逆變器和開關電源中，該器件可以實現高效的電能轉換和控制，適用于太陽能逆變器、電動汽車充電器等應用。
3. **電機驅動**：可用于電機控制和驅動模塊，如電動汽車、工業機械和家用電器中的電機控制。
4. **電池充放電保護**：在電池管理系統中，它可以用于電池充放電保護和電流控制，確保電池的安全性和性能。
總之，IPD60R3K3C6-VB適用于需要高耐壓和適中電流能力的N溝道MOSFET的多種領域，包括電源管理、逆變器、電機驅動和電池管理等領域。其性能參數使其成為許多電子模塊的理想選擇。
