型號：50P06-VB
絲印：VBE2625
品牌：VBsemi
參數：
- P溝道 MOSFET
- 額定電壓：-60V
- 最大持續電流：-50A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V, 25mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs)：最大±20V
- 閾值電壓 (Vth)：-1.76V
封裝：TO252
詳細參數說明：
50P06-VB是一款P溝道MOSFET，專為低電壓、高電流應用而設計。它的額定電壓為-60V，可以持續承受高達-50A的電流。該MOSFET具有卓越的導通特性，其靜態導通電阻在10V電壓下為20mΩ，而在4.5V電壓下為25mΩ。這低的電阻有助于減小功耗和熱量，使其適用于需要高效能耗的應用。
50P06-VB的門源極電壓（Vgs）范圍廣泛，最大可達±20V，具有良好的控制特性。其閾值電壓（Vth）為-1.76V，可在不同應用中實現精確的控制。
應用簡介：
50P06-VB廣泛應用于以下領域和模塊：
1. **電源管理模塊**：該MOSFET適用于低電壓電源管理，用于電池管理、充電和放電控制，以及功率因子校正。
2. **電機驅動**：由于其高電流承受能力，可用于電機控制，如電動汽車電機控制、工業電機驅動等。
3. **DC-DC變換器**：50P06-VB的低導通電阻和高效性能使其成為DC-DC變換器的理想選擇，可用于電源適配器和能量轉換器。
4. **電源開關**：適用于各種類型的電源開關，如電源開關模塊（PSU）和逆變器。
綜上所述，50P06-VB是一款多功能的P溝道MOSFET，適用于各種低電壓、高電流的應用，為電源管理、電機控制和DC-DC變換器等模塊提供高性能和可靠性的解決方案。
