型號：CED12N10L-VB
絲印：VBFB1101M
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：100V
- 最大連續電流：15A
- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1.41V
- 封裝類型：TO251
應用簡介：
CED12N10L-VB是一款高電壓、高電流N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），適用于需要高性能功率開關的應用。以下是一些可能的應用領域：
1. 電源管理：這種高電壓、高電流MOSFET可用于電源開關、電源逆變器、電源供應和穩壓器等應用，以提供高效的電能控制和穩定的電壓輸出。
2. 電機控制：它適用于高功率電機控制，如電動機驅動器、直流電機控制、工業自動化設備和電機保護電路。
3. 汽車電子：在汽車電子中，這種MOSFET可以用于車輛電源管理、電機驅動、電動汽車充電設備等應用。
4. 高頻開關電源：用于高頻開關電源和逆變器，例如用于通信設備、太陽能逆變器、變頻空調等領域。
5. 高性能電子設備：適用于需要高電流、高電壓開關的高性能電子設備和工業控制系統。
總之，CED12N10L-VB MOSFET適用于需要高功率、高電壓、高電流性能的電子應用領域。這種組件有助于提高系統效率、可靠性和電能控制，因此在各種領域的模塊和電路中廣泛應用。
