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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRF5851TRPBF-VB一款N+P溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析

型號: IRF5851TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N+P溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:IRF5851TRPBF-VB
絲印:VB5222
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:N+P溝道
- 額定電壓:±20V
- 最大持續(xù)電流:7A(正向) / -4.5A(反向)
- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON)):20mΩ @ 4.5V(正向) / 70mΩ @ 4.5V(反向),29mΩ @ 2.5V(正向) / 106mΩ @ 2.5V(反向)
- 閾值電壓 (Vth):0.71V(正向) / -0.81V(反向)
- 封裝:SOT23-6

詳細參數(shù)說明:
IRF5851TRPBF-VB 是一款 N+P 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件,具有雙通道,其中一個為 N 溝道,另一個為 P 溝道。它支持額定電壓為 ±20V,并具有最大持續(xù)電流為 7A(正向)和 -4.5A(反向)。RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好,分別為正向 20mΩ @ 4.5V 和 29mΩ @ 2.5V,反向 70mΩ @ 4.5V 和 106mΩ @ 2.5V。此外,正向和反向的閾值電壓分別為 0.71V 和 -0.81V。

應用簡介:
IRF5851TRPBF-VB 是一種多功能的雙通道 MOSFET,適用于多種電路應用。它通常用于電源管理、電源開關、電源轉換器、電池保護電路、逆變器等領域的模塊。由于其雙通道設計,它在設計中具有更大的靈活性,可用于多種電流和電壓條件下的應用。SOT23-6 封裝使其易于安裝到電路板上。這種型號的 MOSFET 可以在需要 N 和 P 溝道器件的電路中提供可靠的性能,適用于多種領域,包括電子、通信、工業(yè)控制等。

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