--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:SI4401BDY-T1-E3-VB
絲印:VBA2412
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-40V
- 最大持續(xù)電流:-11A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):13mΩ @ 10V, 17mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-1.7V
- 封裝:SOP8
詳細(xì)參數(shù)說明:
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件,具有-40V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為-11A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好,分別為 13mΩ @ 10V 和 17mΩ @ 4.5V。此外,它的閾值電壓(Vth)為-1.7V。

應(yīng)用簡介:
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一種高性能的 P 溝道 MOSFET,適用于需要 P 溝道器件的電路應(yīng)用。由于其 P 溝道特性,它通常用于電源開關(guān)、電池保護(hù)電路、負(fù)電源開關(guān)和其他需要 P 溝道 MOSFET 的應(yīng)用。SOP8 封裝使其易于集成到小型電子設(shè)備中。這種型號的 MOSFET 可以在需要高性能 P 溝道開關(guān)的應(yīng)用中提供可靠的性能,適用于電源管理、電池保護(hù)、負(fù)電源控制和其他領(lǐng)域的模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力使其在高效率和高功率應(yīng)用中非常有用。
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